Sic-substraat
Siliciumcarbide (SiC) substraten worden gemaakt van een zeer zuiver materiaal dat silicium en koolstof combineert. Het productieproces begint met een hogetemperatuurtechniek genaamd Physical Vapor Transport (PVT). In dit proces verandert silicium en koolstofpoeder in damp en koelt vervolgens af om een groot kristal te vormen, een zogenaamde boule.
- Snelle levering
- Kwaliteitsverzekering
- 24/7 Klantenservice
product Introductie
product Introductie
Siliciumcarbide (SiC) substraten worden gemaakt van een zeer zuiver materiaal dat silicium en koolstof combineert. Het productieproces begint met een hogetemperatuurtechniek genaamd Physical Vapor Transport (PVT). In dit proces verandert silicium en koolstofpoeder in damp en koelt vervolgens af om een groot kristal te vormen, een zogenaamde boule.
De boule wordt vervolgens in dunne plakjes gesneden, wafers genoemd, en gepolijst om ze glad en reflecterend te maken. Deze zorgvuldige productie zorgt ervoor dat elk SiC-substraat hoge temperaturen aankan, elektriciteit goed geleidt en erg sterk is. Deze eigenschappen zijn ideaal voor gebruik in elektronica die onder zware omstandigheden moet presteren, zoals in vermogensapparaten, sensoren die bij hoge temperaturen werken en systemen die in zware omgevingen worden gebruikt. Siliciumcarbidesubstraten helpen elektronische apparaten efficiënter, duurzamer en krachtiger te maken.


FAQ
Populaire tags: sic substraat, Chinese sic substraat fabrikanten, leveranciers, fabriek
No



