Sic-substraat
video
Sic-substraat

Sic-substraat

Siliciumcarbide (SiC) substraten worden gemaakt van een zeer zuiver materiaal dat silicium en koolstof combineert. Het productieproces begint met een hogetemperatuurtechniek genaamd Physical Vapor Transport (PVT). In dit proces verandert silicium en koolstofpoeder in damp en koelt vervolgens af om een ​​groot kristal te vormen, een zogenaamde boule.

  • Snelle levering
  • Kwaliteitsverzekering
  • 24/7 Klantenservice
product Introductie
product Introductie

 

Siliciumcarbide (SiC) substraten worden gemaakt van een zeer zuiver materiaal dat silicium en koolstof combineert. Het productieproces begint met een hogetemperatuurtechniek genaamd Physical Vapor Transport (PVT). In dit proces verandert silicium en koolstofpoeder in damp en koelt vervolgens af om een ​​groot kristal te vormen, een zogenaamde boule.
De boule wordt vervolgens in dunne plakjes gesneden, wafers genoemd, en gepolijst om ze glad en reflecterend te maken. Deze zorgvuldige productie zorgt ervoor dat elk SiC-substraat hoge temperaturen aankan, elektriciteit goed geleidt en erg sterk is. Deze eigenschappen zijn ideaal voor gebruik in elektronica die onder zware omstandigheden moet presteren, zoals in vermogensapparaten, sensoren die bij hoge temperaturen werken en systemen die in zware omgevingen worden gebruikt. Siliciumcarbidesubstraten helpen elektronische apparaten efficiënter, duurzamer en krachtiger te maken.

70-1
70-2

 

FAQ

 

V: Wat is het verschil tussen Si- en SiC-wafers?

A: Het belangrijkste verschil tussen Si (silicium) wafers en SiC (siliciumcarbide) wafers is het materiaal. Silicium is een puur element, terwijl siliciumcarbide een verbinding is van silicium en koolstof. SiC wafers presteren beter op het gebied van hittebestendigheid, druktolerantie en elektronenmobiliteit, waardoor ze geschikt zijn voor veeleisendere toepassingen.

V: Wat zijn de roosterparameters van 6H-SiC?

A: 6H-SiC heeft een hexagonaal kristalsysteem met roosterconstanten van ongeveer 3,081 Å (a) en 15,117 Å (c). De unieke kristalstructuur geeft het uitstekende fysieke en chemische eigenschappen, en wordt veel gebruikt in hoogwaardige halfgeleiders.

V: Wat betekent SiC in halfgeleiders?

A: In halfgeleiders wordt SiC gewaardeerd om zijn superieure eigenschappen, zoals hoge thermische geleidbaarheid, hoge elektronenmobiliteit en hoge hittebestendigheid. Deze eigenschappen maken SiC ideaal voor het produceren van efficiënte en duurzame elektronische apparaten die kunnen werken in extreme omstandigheden, zoals die gebruikt in elektrische voertuigen en ruimtetechnologie.

 

Populaire tags: sic substraat, Chinese sic substraat fabrikanten, leveranciers, fabriek

Misschien vind je dit ook leuk

(0/10)

clearall